Справочник MOSFET. AON6260

 

AON6260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  aosemi
 aon6260.pdf pdf_icon

AON6260

AON626060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON6260 uses trench MOSFET technology that is 60Vuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85Afrequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6260

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6260

AON6262ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:368K  aosemi
 aon6266.pdf pdf_icon

AON6260

AON626660V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6234 , AON6236 , AON6240 , AON6242 , AON6244 , AON6246 , AON6248 , AON6250 , IRFP260N , AON6266 , AON6270 , AON6278 , AON6280 , AON6282 , AON6284 , AON6290 , AON6292 .

 

 
Back to Top

 


 
.