Справочник MOSFET. AON6448

 

AON6448 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON6448
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для AON6448

 

 

AON6448 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  aosemi
 aon6448.pdf

AON6448 AON6448

AON644880V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AON6448 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 65Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:305K  aosemi
 aon6442.pdf

AON6448 AON6448

AON644240V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40VThe AON6442 uses trench MOSFET technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 32Afrequency switching performance.Power losses are RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:262K  aosemi
 aon6440.pdf

AON6448 AON6448

AON644040V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS 40VThe AON6440 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 85Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:264K  aosemi
 aon6444.pdf

AON6448 AON6448

AON644460V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS 60VThe AON6444 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 81Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge.The result is outstanding efficiency with controlled RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top