AON6512 - описание и поиск аналогов

 

AON6512. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6512

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1327 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6512

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6512 даташит

 ..1. Size:282K  1
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6512

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:282K  aosemi
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6512

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:291K  aosemi
 aon6510.pdf pdf_icon

AON6512

AON6510 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:293K  aosemi
 aon6518.pdf pdf_icon

AON6512

AON6518 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6484 , AON6486 , AON6500 , AON6502 , AON6504 , AON6506 , AON6508 , AON6510 , STP80NF70 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 , AON6524 , AON6526 , AON6530 , AON6532 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.