Справочник MOSFET. AON6512

 

AON6512 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6512
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6512

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6512 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  1
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6512

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:282K  aosemi
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6512

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:291K  aosemi
 aon6510.pdf pdf_icon

AON6512

AON651030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:293K  aosemi
 aon6518.pdf pdf_icon

AON6512

AON651830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6484 , AON6486 , AON6500 , AON6502 , AON6504 , AON6506 , AON6508 , AON6510 , 20N50 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 , AON6524 , AON6526 , AON6530 , AON6532 .

History: FIR12N15LG | AOD413

 

 
Back to Top

 


 
.