Справочник MOSFET. AON6516

 

AON6516 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6516
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 526 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6516 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  aosemi
 aon6516.pdf pdf_icon

AON6516

AON651630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:282K  1
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6516

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:282K  aosemi
 aon6512.pdf pdf_icon

AON6516

AON651230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:291K  aosemi
 aon6510.pdf pdf_icon

AON6516

AON651030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BLF6G20S-45 | TK07H90A | PMN16XNE | IRF9630 | MDP15N60GTH | SSF9N90ZH | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.