Справочник MOSFET. AON6594

 

AON6594 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6594
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6594

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6594 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6594

AON659430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6594

AON6590A40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6594

AON659630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6594

AON659040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6552 , AON6554 , AON6558 , AON6566 , AON6572 , AON6576 , AON6586 , AON6588 , IRF830 , AON6596 , AON6752 , AON6754 , AON6756 , AON6758 , AON6760 , AON6774 , AON6780 .

History: HGT007NE6A | IPD49CN10NG | PH3030AL | STU3LN62K3

 

 
Back to Top

 


 
.