AON6596 - описание и поиск аналогов

 

AON6596. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6596

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6596

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6596 даташит

 ..1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6596

AON6596 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6596

AON6590A 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6596

AON6594 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6596

AON6590 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6554 , AON6558 , AON6566 , AON6572 , AON6576 , AON6586 , AON6588 , AON6594 , 8N60 , AON6752 , AON6754 , AON6756 , AON6758 , AON6760 , AON6774 , AON6780 , AON6782 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.