Справочник MOSFET. AON6980

 

AON6980 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6980
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.5(32) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(12) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28(36) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.2(3) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270(515) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068(0.0038) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6B
 

 Аналог (замена) для AON6980

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  aosemi
aon6980.pdfpdf_icon

AON6980

AON698030V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 28A 36A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:350K  aosemi
aon6984.pdfpdf_icon

AON6980

AON698430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:353K  aosemi
aon6982.pdfpdf_icon

AON6980

AON698230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:350K  aosemi
aon6998.pdfpdf_icon

AON6980

AON699830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6934A , AON6936 , AON6938 , AON6946 , AON6970 , AON6973A , AON6974A , AON6978 , IRF640 , AON7200 , AON7210 , AON7220 , AON7240 , AON7242 , AON7244 , AON7246 , AON7254 .

 

 
Back to Top

 


 
.