AON7502 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

AON7502 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: AON7502
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7502

AON7502 Datasheet (PDF)

..1. Size:273K aosemi
aon7502.pdf

AON750230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 6VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:547K 1
aon7508.pdf

AON750830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:324K 1
aon7506.pdf

AON750630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:315K aosemi
aon7508.pdf