Справочник MOSFET. AON7506

 

AON7506 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7506
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AON7506

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7506 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  1
 aon7506.pdf pdf_icon

AON7506

AON750630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:324K  aosemi
 aon7506.pdf pdf_icon

AON7506

AON750630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:547K  1
 aon7508.pdf pdf_icon

AON7506

AON750830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:315K  aosemi
 aon7508.pdf pdf_icon

AON7506

AON750830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7450 , AON7452 , AON7458 , AON7460 , AON7462 , AON7466 , AON7474A , AON7502 , 18N50 , AON7508 , AON7510 , AON7516 , AON7520 , AON7522E , AON7524 , AON7528 , AON7530 .

History: IPB120N04S4-04 | MCG20N08

 

 
Back to Top

 


 
.