AON7532E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7532E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7532E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7532E даташит

 ..1. Size:264K  aosemi
 aon7532e.pdf pdf_icon

AON7532E

AON7532E 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:271K  1
 aon7534.pdf pdf_icon

AON7532E

AON7534 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:261K  aosemi
 aon7536.pdf pdf_icon

AON7532E

AON7536 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:269K  aosemi
 aon7530.pdf pdf_icon

AON7532E

AON7530 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7508, AON7510, AON7516, AON7520, AON7522E, AON7524, AON7528, AON7530, AO3407, AON7534, AON7536, AON7538, AON7544, AON7548, AON7556, AON7611, AON7700