Справочник MOSFET. AON7532E

 

AON7532E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7532E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AON7532E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7532E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  aosemi
 aon7532e.pdf pdf_icon

AON7532E

AON7532E30V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:271K  1
 aon7534.pdf pdf_icon

AON7532E

AON753430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:261K  aosemi
 aon7536.pdf pdf_icon

AON7532E

AON753630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:269K  aosemi
 aon7530.pdf pdf_icon

AON7532E

AON753030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7508 , AON7510 , AON7516 , AON7520 , AON7522E , AON7524 , AON7528 , AON7530 , 7N60 , AON7534 , AON7536 , AON7538 , AON7544 , AON7548 , AON7556 , AON7611 , AON7700 .

History: HSS3400A | SSM4500GM | DH60N06

 

 
Back to Top

 


 
.