AON7934. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7934

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NN

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23(25) W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16(18) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8(3.3) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235(314) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0102(0.0077) Ohm

Тип корпуса: DFN3X3AEP2

Аналог (замена) для AON7934

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7934 даташит

 ..1. Size:546K  1
 aon7934.pdf pdf_icon

AON7934

AON7934 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:546K  aosemi
 aon7934.pdf pdf_icon

AON7934

AON7934 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:530K  aosemi
 aon7932.pdf pdf_icon

AON7934

AON7932 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 The AON7932 is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and VDS 30V 30V board space utilization. It includes two specialized ID (at VGS=10V) 26A 35A MOSFETs in a dual Power DFN3x3A package. The Q1 RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:415K  aosemi
 aon7902.pdf pdf_icon

AON7934

AON7902 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 The AON7902 is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and VDS 30V 30V board space utilization. It includes two specialized ID (at VGS=10V) 27A 40A MOSFETs in a dual Power DFN3.3x3.3A package. The Q1 RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7804, AON7810, AON7812, AON7820, AON7826, AON7900, AON7902, AON7932, MMIS60R580P, AOP605, AOP609, AOT10N60, AOT10N65, AOT10T60P, AOT1100L, AOT11C60, AOT11N60