Справочник MOSFET. AOT12N60FD

 

AOT12N60FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT12N60FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT12N60FD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT12N60FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  aosemi
 aot12n60fd.pdf pdf_icon

AOT12N60FD

AOT12N60FD/AOB12N60FD/AOTF12N60FD600V, 12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT12N60FD/AOB12N60FD/AOTF12N60FD havebeen fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 12Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
 aot12n60fd.pdf pdf_icon

AOT12N60FD

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT12N60FDFEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.65(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:450K  aosemi
 aot12n60.pdf pdf_icon

AOT12N60FD

AOT12N60/AOTF12N60600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT12N60 & AOTF12N60 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:575K  aosemi
 aot12n60 aotf12n60.pdf pdf_icon

AOT12N60FD

AOT12N60/AOTF12N60600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT12N60 & AOTF12N60 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 12Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOT11N60 , AOT11N70 , AOT11S60 , AOT11S65 , AOT12N30 , AOT12N40 , AOT12N50 , AOT12N60 , IRFZ44 , AOT12N65 , AOT13N50 , AOT1404L , AOT14N50 , AOT14N50FD , AOT15S60 , AOT1606L , AOT1608L .

 

 
Back to Top

 


 
.