AOT2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT2N60 даташит

 ..1. Size:160K  aosemi
 aot2n60.pdf pdf_icon

AOT2N60

AOT2N60/AOTF2N60 600V,2A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT2N60 & AOTF2N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 2A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot2n60.pdf pdf_icon

AOT2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2N60 FEATURES Drain Current I = 2A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =4.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

Другие IGBT... AOT290L, AOT2910L, AOT2916L, AOT2918L, AOT292L, AOT296L, AOT298L, AOT29S50, AON7506, AOT3N100, AOT3N50, AOT3N60, AOT404, AOT410L, AOT412, AOT414, AOT416