Справочник MOSFET. AOT2N60

 

AOT2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  aosemi
 aot2n60.pdf pdf_icon

AOT2N60

AOT2N60/AOTF2N60600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT2N60 & AOTF2N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 2Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot2n60.pdf pdf_icon

AOT2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... AOT290L , AOT2910L , AOT2916L , AOT2918L , AOT292L , AOT296L , AOT298L , AOT29S50 , IRFP250 , AOT3N100 , AOT3N50 , AOT3N60 , AOT404 , AOT410L , AOT412 , AOT414 , AOT416 .

History: AONS36346

 

 
Back to Top

 


 
.