Справочник MOSFET. AOT480L

 

AOT480L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT480L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 116 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT480L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT480L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  aosemi
aot480l.pdfpdf_icon

AOT480L

AOT480L/AOB480L80V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary80VThe AOT480L & AOB480L is fabricated with SDMOSTM VDStrench technology that combines excellent RDS(ON) with low ID (at VGS=10V) 180Agate charge & low Qrr. The result is outstanding efficiency RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
aot480l.pdfpdf_icon

AOT480L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT480LFEATURESDrain Current I =180A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:269K  aosemi
aot482l.pdfpdf_icon

AOT480L

AOT482L/AOB482L80V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary80VThe AOT482L/AOB482L is fabricated with SDMOSTM VDS105Atrench technology that combines excellent RDS(ON) with low I (at VGS=10V)D

 9.2. Size:261K  inchange semiconductor
aot482l.pdfpdf_icon

AOT480L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT482LFEATURESDrain Current I =105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDPF55N06

 

 
Back to Top

 


 
.