AOT7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT7N60 даташит

 ..1. Size:498K  aosemi
 aot7n60.pdf pdf_icon

AOT7N60

AOT7N60/AOTF7N60 600V,7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT7N60 & AOTF7N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:488K  aosemi
 aot7n60 aotf7n60.pdf pdf_icon

AOT7N60

AOT7N60/AOTF7N60 600V,7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT7N60 & AOTF7N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 aot7n60.pdf pdf_icon

AOT7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT7N60 FEATURES Drain Current I = 7.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 8.1. Size:408K  aosemi
 aot7n65.pdf pdf_icon

AOT7N60

AOT7N65/AOTF7N65 650V, 7A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOT7N65 & AOTF7N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT482L, AOT4N60, AOT4S60, AOT500, AOT502, AOT5N100, AOT5N50, AOT5N60, 7N60, AOT7N65, AOT7N70, AOT7S60, AOT7S65, AOT8N50, AOT8N60, AOT8N65, AOT8N80