Справочник MOSFET. AOT7N60

 

AOT7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для AOT7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  aosemi
 aot7n60.pdf pdf_icon

AOT7N60

AOT7N60/AOTF7N60600V,7A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT7N60 & AOTF7N60 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot7n60.pdf pdf_icon

AOT7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT7N60FEATURESDrain Current I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 8.1. Size:408K  aosemi
 aot7n65.pdf pdf_icon

AOT7N60

AOT7N65/AOTF7N65650V, 7A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT7N65 & AOTF7N65 have been fabricated usingan advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 7Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot7n65.pdf pdf_icon

AOT7N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT7N65FEATURESDrain Current I = 7.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.56(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOT482L , AOT4N60 , AOT4S60 , AOT500 , AOT502 , AOT5N100 , AOT5N50 , AOT5N60 , MMIS60R580P , AOT7N65 , AOT7N70 , AOT7S60 , AOT7S65 , AOT8N50 , AOT8N60 , AOT8N65 , AOT8N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.