Справочник MOSFET. AOTF10N65

 

AOTF10N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF10N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF10N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  aosemi
aotf10n65.pdfpdf_icon

AOTF10N65

AOT10N65/AOTF10N65650V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS750V@150The AOT10N65 & AOTF10N65 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 10Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
aotf10n65.pdfpdf_icon

AOTF10N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF10N65FEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 6.1. Size:375K  aosemi
aotf10n60.pdfpdf_icon

AOTF10N65

AOT10N60/AOB10N60/AOTF10N60600V,10A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 10Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:250K  inchange semiconductor
aotf10n60.pdfpdf_icon

AOTF10N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF10N60FEATURESDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.75(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... AOT8N60 , AOT8N65 , AOT8N80 , AOT9N40 , AOT9N50 , AOT9N70 , AOTF10N50FD , AOTF10N60 , AO3407 , AOTF10N90 , AOTF10T60 , AOTF10T60P , AOTF11C60 , AOTF11N60 , AOTF11N62 , AOTF11N70 , AOTF11S60 .

History: 7NM70G-TF2-T | DMC3018LSD | QM2413V | HCD70R910 | PJC138K | NCEA65NF036T | SFF20N60N

 

 
Back to Top

 


 
.