AOTF12T60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOTF12T60P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 72 ns
Выходная емкость (Cd): 71 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для AOTF12T60P
AOTF12T60P Datasheet (PDF)
1.1. aotf12t60p.pdf 
Size:498K _aosemi
AOB12T60P/AOTF12T60P 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary • Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V • Low RDS(ON) IDM 48A • Low Ciss and Crss RDS(ON),max < 0.52Ω • High Current Capability Qg,typ 33nC • RoHS and Halogen Free Compliant Eoss @ 400V 4.4µJ Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • General Lighting for LED
1.2. aotf12t60.pdf Size:233K _aosemi
AOTF12T60 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V • Latest Trench Power AlphaMOS-II technology • Low RDS(ON) IDM 48A • Low Ciss and Crss RDS(ON),max < 0.52Ω • High Current Capability Qg,typ 33nC • RoHS and Halogen Free Compliant Eoss @ 400V 4.5µJ Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • General Lighting for LED and
3.1. aotf12t50p.pdf Size:447K _aosemi
AOTF12T50P 500V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary • Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V • Low RDS(ON) IDM 48A • Low Ciss and Crss RDS(ON),max < 0.5Ω • High Current Capability Qg,typ 22nC • RoHS and Halogen Free Compliant Eoss @ 400V 4µJ Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • General Lighting for LED and CC
3.2. aotf12t50pl.pdf Size:447K _aosemi
AOTF12T50P 500V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary • Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V • Low RDS(ON) IDM 48A • Low Ciss and Crss RDS(ON),max < 0.5Ω • High Current Capability Qg,typ 22nC • RoHS and Halogen Free Compliant Eoss @ 400V 4µJ Applications 100% UIS Tested 100% Rg Tested • General Lighting for LED and CC
Другие MOSFET... AOTF12N30 , AOTF12N50 , AOTF12N60 , AOTF12N60FD , AOTF12N65 , AOTF12T50P , AOTF12T50PL , AOTF12T60 , IRF1404 , AOTF13N50 , AOTF14N50 , AOTF14N50FD , AOTF15S60 , AOTF15S65 , AOTF16N50 , AOTF18N65 , AOTF20C60 .
