Справочник MOSFET. AOTF12T60P

 

AOTF12T60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF12T60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AOTF12T60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF12T60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  aosemi
 aotf12t60p.pdf pdf_icon

AOTF12T60P

AOB12T60P/AOTF12T60P600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 5.1. Size:233K  aosemi
 aotf12t60.pdf pdf_icon

AOTF12T60P

AOTF12T60600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Latest Trench Power AlphaMOS-II technology Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:447K  aosemi
 aotf12t50p.pdf pdf_icon

AOTF12T60P

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.2. Size:447K  aosemi
 aotf12t50pl.pdf pdf_icon

AOTF12T60P

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTF12N30 , AOTF12N50 , AOTF12N60 , AOTF12N60FD , AOTF12N65 , AOTF12T50P , AOTF12T50PL , AOTF12T60 , IRF630 , AOTF13N50 , AOTF14N50 , AOTF14N50FD , AOTF15S60 , AOTF15S65 , AOTF16N50 , AOTF18N65 , AOTF20C60 .

History: AP6679GJ | IRFSZ25

 

 
Back to Top

 


 
.