AOTF260L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF260L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF260L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF260L даташит

 ..1. Size:255K  aosemi
 aotf260l.pdf pdf_icon

AOTF260L

AOTF260L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOTF260L uses Trench MOSFET technology that is 60V uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 92A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
 aotf260l.pdf pdf_icon

AOTF260L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF260L FEATURES Drain Current I = 92A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and gene

 7.1. Size:420K  aosemi
 aot2606l aob2606l aotf2606l.pdf pdf_icon

AOTF260L

AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 72A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:349K  aosemi
 aotf2606l.pdf pdf_icon

AOTF260L

AOT2606L/AOB2606L/AOTF2606L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2606L & AOB2606L & AOTF2606L uses Trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 72A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF20N40, AOTF20N60, AOTF20S60, AOTF22N50, AOTF240L, AOTF256L, AOTF25S65, AOTF2606L, STP75NF75, AOTF2610L, AOTF2618L, AOTF262L, AOTF266L, AOTF27S60, AOTF288L, AOTF2910L, AOTF2916L