Справочник MOSFET. AOTF2910L

 

AOTF2910L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTF2910L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для AOTF2910L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF2910L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  aosemi
aob2910l aot2910l aotf2910l.pdfpdf_icon

AOTF2910L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:434K  aosemi
aotf2910l.pdfpdf_icon

AOTF2910L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:236K  inchange semiconductor
aotf2910l.pdfpdf_icon

AOTF2910L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF2910LFEATURESDrain Current I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 24m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgen

 7.1. Size:409K  aosemi
aotf2916l.pdfpdf_icon

AOTF2910L

AOT2916L/AOTF2916L100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT2916L & AOTF2916L uses trench MOSFET 100Vtechnology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 23A / 17Aefficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOTF2606L , AOTF260L , AOTF2610L , AOTF2618L , AOTF262L , AOTF266L , AOTF27S60 , AOTF288L , 8205A , AOTF2916L , AOTF2918L , AOTF29S50 , AOTF2N60 , AOTF3N100 , AOTF3N50 , AOTF3N80 , AOTF3N90 .

 

 
Back to Top

 


 
.