Справочник MOSFET. AOTF2916L

 

AOTF2916L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AOTF2916L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 3.5 ns

Выходная емкость (Cd): 68 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF2916L

 

 

AOTF2916L Datasheet (PDF)

1.1. aotf2916l.pdf Size:345K _aosemi

AOTF2916L AOTF2916L

AOT2916L/AOTF2916L 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2916L & AOTF2916L uses trench MOSFET 100V technology that is uniquely optimized to provide the most ID (at VGS=10V) 23A / 17A efficient high frequency switching performance. Both RDS(ON) (at VGS=10V) < 34mΩ conduction and switching power losses are minimized due RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 43.5m

3.1. aotf2918l.pdf Size:381K _aosemi

AOTF2916L AOTF2916L

AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2918L & AOB2918L & AOTF2918L uses Trench 100V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 90A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V) < 7mΩ Power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Cr

3.2. aotf2910l.pdf Size:381K _aosemi

AOTF2916L AOTF2916L

AOT2910L/AOB2910L/AOTF2910L 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2910L & AOB2910L & AOTF2910L uses trench 100V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 30A / 22A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V) < 24mΩ (* 23.5mΩ) Both conduction and switching power losses are RDS(ON) (at

Другие MOSFET... AOTF260L , AOTF2610L , AOTF2618L , AOTF262L , AOTF266L , AOTF27S60 , AOTF288L , AOTF2910L , IRFP4332 , AOTF2918L , AOTF29S50 , AOTF2N60 , AOTF3N100 , AOTF3N50 , AOTF3N80 , AOTF3N90 , AOTF404 .

Back to Top