AOU3N50 - описание и поиск аналогов

 

AOU3N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOU3N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для AOU3N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOU3N50 даташит

 ..1. Size:273K  aosemi
 aou3n50.pdf pdf_icon

AOU3N50

AOD3N50/AOU3N50 500V, 3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD3N50 & AOU3N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is VDS 600V@150 designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2.8A robustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:701K  aosemi
 aod3n50 aou3n50.pdf pdf_icon

AOU3N50

AOD3N50/AOU3N50 500V, 3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD3N50 & AOU3N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is VDS 600V@150 designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2.8A robustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:274K  inchange semiconductor
 aou3n50.pdf pdf_icon

AOU3N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU3N50 FEATURES Drain Current I = 2.8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:276K  aosemi
 aou3n60.pdf pdf_icon

AOU3N50

AOD3N60/AOU3N60 600V,2.5A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD3N60 & AOU3N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is VDS 700V@150 designed to deliver high levels of performance and ID (at VGS=10V) 2.5A robustness in popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTF8N80 , AOTF8T50P , AOTF9N50 , AOTF9N70 , AOTF9N90 , AOU1N60 , AOU2N60 , AOU2N60A , IRFZ48N , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 , AOV15S60 , AOV20S60 , AOW10N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.