AOU4S60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOU4S60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для AOU4S60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOU4S60 даташит
aou4s60.pdf
AOD4S60/AOI4S60/AOU4S60 TM 600V 4A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOD4S60 & AOI4S60 & AOU4S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 16A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.9 performance and robustness in switching applications. Qg,typ 6nC By providing low RDS(o
aod4s60 aoi4s60 aou4s60.pdf
AOD4S60/AOI4S60/AOU4S60 TM 600V 4A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOD4S60 & AOI4S60 & AOU4S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 16A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.9 performance and robustness in switching applications. Qg,typ 6nC By providing low RDS(o
aou4s60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOU4S60 FEATURES Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.9 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a
Другие MOSFET... AOTF9N70 , AOTF9N90 , AOU1N60 , AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , IRLB3034 , AOU7S65 , AOV11S60 , AOV15S60 , AOV20S60 , AOW10N60 , AOW10N65 , AOW10T60P , AOW11N60 .
History: MDD2601 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWB046R68E8T | SWD070R08E7T | HY3410PS
History: MDD2601 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWB046R68E8T | SWD070R08E7T | HY3410PS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet


