Справочник MOSFET. AOV20S60

 

AOV20S60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOV20S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для AOV20S60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOV20S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  aosemi
 aov20s60.pdf pdf_icon

AOV20S60

AOV20S60 TM600V 18A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOV20S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 80Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.25applications. Qg,typ 20nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eo

Другие MOSFET... AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 , AOV15S60 , IRF9640 , AOW10N60 , AOW10N65 , AOW10T60P , AOW11N60 , AOW11S60 , AOW11S65 , AOW12N50 , AOW12N60 .

History: FHD4N65E | P7006BL | NTMFS5C456NL

 

 
Back to Top

 


 
.