Справочник MOSFET. AOW480

 

AOW480 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOW480
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 116 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW480 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  aosemi
aow480.pdfpdf_icon

AOW480

AOW48080V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product Summary VDS 80VThe AOW480 is fabricated with SDMOSTM trenchtechnology that combines excellent RDS(ON) with low gate ID (at VGS=10V) 180Acharge & low Qrr.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:298K  inchange semiconductor
aow480.pdfpdf_icon

AOW480

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW480FEATURESDrain Current I =180A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 9.1. Size:254K  aosemi
aow482.pdfpdf_icon

AOW480

AOW48280V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS80VThe AOW482 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 105Atechnology that combines excellent RDS(ON) with low gatecharge and low Qrr.The result is outstanding efficiency RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:298K  inchange semiconductor
aow482.pdfpdf_icon

AOW480

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW482FEATURESDrain Current I =105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOWF11C60

 

 
Back to Top

 


 
.