AOW480 - описание и поиск аналогов

 

AOW480. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOW480

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AOW480

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW480 даташит

 ..1. Size:366K  aosemi
aow480.pdfpdf_icon

AOW480

AOW480 80V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 80V The AOW480 is fabricated with SDMOSTM trench technology that combines excellent RDS(ON) with low gate ID (at VGS=10V) 180A charge & low Qrr.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:298K  inchange semiconductor
aow480.pdfpdf_icon

AOW480

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW480 FEATURES Drain Current I =180A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =80V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:254K  aosemi
aow482.pdfpdf_icon

AOW480

AOW482 80V N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 80V The AOW482 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 105A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate charge and low Qrr.The result is outstanding efficiency RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:298K  inchange semiconductor
aow482.pdfpdf_icon

AOW480

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW482 FEATURES Drain Current I =105A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =80V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 7.2m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... AOW2500 , AOW25S65 , AOW284 , AOW2918 , AOW298 , AOW29S50 , AOW410 , AOW418 , IRFB4110 , AOW482 , AOW4S60 , AOW7S60 , AOW7S65 , AOWF10N60 , AOWF10N65 , AOWF10T60P , AOWF11C60 .

History: JBE103T | MEE7630-G | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | AOV11S60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.