Справочник MOSFET. AOY2N60

 

AOY2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOY2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOY2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  aosemi
 aoy2n60.pdf pdf_icon

AOY2N60

AOY2N60600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Advanced High Voltage MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Ciss and Crss RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aoy2n60.pdf pdf_icon

AOY2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.