Справочник MOSFET. AOY2N60

 

AOY2N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOY2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251B

 Аналог (замена) для AOY2N60

 

 

AOY2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  aosemi
 aoy2n60.pdf

AOY2N60 AOY2N60

AOY2N60600V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Advanced High Voltage MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Ciss and Crss RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aoy2n60.pdf

AOY2N60 AOY2N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOY2N60FEATURESDrain Current I = 2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =4.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top