2SJ450 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ450
Маркировка: UY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 72 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: UPAK
2SJ450 Datasheet (PDF)
1.1. 2sj450.pdf 
Size:46K _hitachi
2SJ450 Silicon P-Channel MOS FET ADE-208-381 1st. Edition Application High speed power switching Features • Low on-resistance. • Low drive power • High speed switching • 2.5 V gate drive device. Outline UPAK 1 2 3 4 D 1. Gate G 2. Drain 3. Source 4. Drain S This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page 2SJ450 Absolute Maximum Rati
5.1. 2sj451.pdf Size:111K _renesas
2SJ451 Silicon P Channel MOS FET REJ03G0864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007 Description Low frequency power switching Features Low on-resistance. Low drive power 2.5 V gate drive device. Small package (MPAK). Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) D 3 1. Source G 2. Gate 1 3. Drain 2 S Note: Marking is ZK. Absolute Maximum Ratin
5.2. 2sj45.pdf Size:2127K _nec
Другие MOSFET... 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR , 2SK1916-01R , 2SK1772 , 2SK1070 , BF245C , APT1001RBLC , APT1001RBVFR , APT1001RSLC , APT10021JFLL , APT10021JLL , APT10025JLC , APT10026JFLL , APT10026JLL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: KO3407 | KO3404 | KO3403 | KO3402 | KN0606L | KML0D4P20E | KML0D4N20E | KMDF2C03HD | KMB075N75P | KI7540DP | KI6968BEDQ | KI5P03DY | KI5935DC | KI5908DC | KI5905DC |