Справочник MOSFET. APT1004R2KN

 

APT1004R2KN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT1004R2KN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для APT1004R2KN

 

 

APT1004R2KN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  apt
 apt1004r2kn.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

DTO-220GAPT1004RKN 1000V 3.6A 4.00SAPT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNITVDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current3.5 3.6 Amps1IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 Amps

 5.1. Size:51K  apt
 apt1004r2bn.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

DTO-247GAPT1004RBN 1000V 4.4A 4.00SAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1004RBN 1004R2BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C4.4 4.0AmpsIDM Pulsed Drain Current 1

 6.1. Size:50K  apt
 apt1004rgn.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po

 6.2. Size:76K  apt
 apt1004rbnr.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

 6.3. Size:50K  apt
 apt1004rcn.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

DTO-254GAPT1004RCN 1000V 3.6A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RCN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.6AmpsIDM Pulsed Drain Current 114.4VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po

 6.4. Size:55K  apt
 apt1004rkn.pdf

APT1004R2KN APT1004R2KN

DTO-220GAPT1004RKN 1000V 3.6A 4.00SAPT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNITVDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current 3.5 3.6 Amps1IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 AmpsV

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top