APT11N80KC3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APT11N80KC3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 770 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для APT11N80KC3
APT11N80KC3 Datasheet (PDF)
apt11n80kc3.pdf
APT11N80KC3800V 11A 0.450Super Junction MOSFETTO-220COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON)GDS Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-220 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80KC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800
apt11n80kc3g.pdf
APT11N80KC3 800V 11A 0.450Super Junction MOSFET TO-220 Ultra Low RDS(ON) Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, Qg GD Avalanche Energy Rated S Extreme dv/dt RatedMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT11N80KC3 UNITVDSSDrain-Source Voltage 800 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C1
apt11n80bc3g.pdf
APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID
apt11n80bc3.pdf
APT11N80BC3800V 11A 0.45Super Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON) Low Miller CapacitanceD Ultra Low Gate Charge, Qg Avalanche Energy RatedG TO-247 PackageSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT11N80BC3 UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID
apt11n80bc3g.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor APT11N80BC3GFEATURESDrain Current I =11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.45(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
