APT20M18B2VFR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT20M18B2VFR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TMAX
Аналог (замена) для APT20M18B2VFR
APT20M18B2VFR Datasheet (PDF)
apt20m18b2vfr.pdf

APT20M18B2VFRAPT20M18LVFR200V 100A 0.018WB2VFRPOWER MOS V FREDFETT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LVFR Identical
apt20m18b2vfr.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M18B2VFRFEATURESDrain Current I = 100A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.018(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general
apt20m18b2vfrg apt20m18lvfrg.pdf

APT20M18B2VFRA20M18LVFR200V 100A 0.018B2VFR POWER MOS V FREDFETT-MAXTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
apt20m18b2vrg apt20m18lvrg.pdf

APT20M18B2VRA20M18LVR200V 100A 0.018B2VR POWER MOS V MOSFETT-MAXTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.LV
Другие MOSFET... APT12080JVFR , APT14050JVFR , APT17N80BC3 , APT17N80SC3 , APT20M10JFLL , APT20M10JLL , APT20M16B2FLL , APT20M16B2LL , 2SK3568 , APT20M18B2VR , APT20M20B2FLL , APT20M20B2LL , APT20M20JFLL , APT20M20JLL , APT20M34BFLL , APT20M34BLL , APT20M36BFLL .
History: 1N80 | SIHA21N60EF | 2SK1570 | SVS5N70MN | CS6N60A3HDY | WMJ4N150D1
History: 1N80 | SIHA21N60EF | 2SK1570 | SVS5N70MN | CS6N60A3HDY | WMJ4N150D1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304