Справочник MOSFET. APT4525AN

 

APT4525AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT4525AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 522 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT4525AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  apt
apt4525an.pdfpdf_icon

APT4525AN

 9.1. Size:375K  apt
apt4530an apt5025an apt5030an.pdfpdf_icon

APT4525AN

 9.2. Size:457K  apt
apt45gp120jdq220.pdfpdf_icon

APT4525AN

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT45GP120JDQ2 1200V APT45GP120JDQ2POWER MOS 7 IGBTThe POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies."UL Recognized"ISOTOP file # E145592

 9.3. Size:436K  apt
apt45gp120b2dq2g.pdfpdf_icon

APT4525AN

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT45GP120B2DQ2(G) 1200V APT45GP120B2DQ2 APT45GP120B2DQ2G**G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.POWER MOS 7 IGBTTMT-MaxThe POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1605 | 4N60KG-TF2-T | IAUC100N10S5N040 | STU601S | AON7544 | SI9948AEY-T1-E3 | PDS4810

 

 
Back to Top

 


 
.