APT50M80B2VFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT50M80B2VFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TMAX

Аналог (замена) для APT50M80B2VFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT50M80B2VFR даташит

 ..1. Size:33K  apt
 apt50m80b2vfr.pdf pdf_icon

APT50M80B2VFR

APT50M80B2VFR 500V 58A 0.080W POWER MOS V FREDFET T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche T

 ..2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt50m80b2vfr.pdf pdf_icon

APT50M80B2VFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT50M80B2VFR FEATURES Drain Current I = 58A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.08 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

 0.1. Size:94K  apt
 apt50m80b2vfrg apt50m80lvfrg.pdf pdf_icon

APT50M80B2VFR

APT50M80B2VFR APT50M80LVFR 500V 58A 0.080 POWER MOS V FREDFET TM T-Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

 3.1. Size:36K  apt
 apt50m80b2vr.pdf pdf_icon

APT50M80B2VFR

APT50M80B2VR APT50M80LVR 500V 58A 0.080W B2VR POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. LVR Identical Specificatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT50M65JFLL, APT50M65JLL, APT50M75B2FLL, APT50M75B2LL, APT50M75JFLL, APT50M75JLL, APT50M75JLLU2, APT50M80B2LC, IRF730, APT50M80B2VR, APT50M80JLC, APT50M85B2VFR, APT50M85B2VR, APT5560AN, APT6010B2LL, APT6010JFLL, APT6010JLL