Справочник MOSFET. HUF75329P3

 

HUF75329P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75329P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HUF75329P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75329P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  fairchild semi
 huf75329g3 huf75329p3 huf75329s3s.pdf pdf_icon

HUF75329P3

HUF75329G3, HUF75329P3, HUF75329S3SData Sheet December 200149A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 49A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Available on t

 6.1. Size:660K  fairchild semi
 huf75329d3st.pdf pdf_icon

HUF75329P3

HUF75329D3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET Features55 V, 20 A, 26 m 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using Simulation Modelsthe innovative UltraFET process. This advanced process - Temperature Compensated PSPICE and SABER technology achieves the lowest possible on-resistance per Modelssilicon area, resulting in ou

 6.2. Size:225K  fairchild semi
 huf75329d3-s.pdf pdf_icon

HUF75329P3

HUF75329D3, HUF75329D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models achieves the

 6.3. Size:715K  onsemi
 huf75329d3s.pdf pdf_icon

HUF75329P3

HUF75329D3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFETFeatures55 V, 20 A, 26 m 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured Simulation Modelsusing the innovative UltraFET process. This advanced - Temperature Compensated PSPICE and SABER process technology achieves the lowest possible on-Modelsresistance per silicon area, resulting in o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF75321D3ST , HUF75321P3 , HUF75321S3 , HUF75321S3S , HUF75321S3ST , HUF75329D3 , HUF75329D3S , HUF75329G3 , IRFP450 , HUF75329S3 , HUF75329S3S , HUF75329S3ST , HUF75332G3 , HUF75332P3 , HUF75332S3S , HUF75333G3 , HUF75333P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.