HUF75329P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HUF75329P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HUF75329P3
HUF75329P3 Datasheet (PDF)
huf75329g3 huf75329p3 huf75329s3s.pdf
HUF75329G3, HUF75329P3, HUF75329S3SData Sheet December 200149A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 49A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Available on t
huf75329d3st.pdf
HUF75329D3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET Features55 V, 20 A, 26 m 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using Simulation Modelsthe innovative UltraFET process. This advanced process - Temperature Compensated PSPICE and SABER technology achieves the lowest possible on-resistance per Modelssilicon area, resulting in ou
huf75329d3-s.pdf
HUF75329D3, HUF75329D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models achieves the
huf75329d3s.pdf
HUF75329D3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFETFeatures55 V, 20 A, 26 m 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured Simulation Modelsusing the innovative UltraFET process. This advanced - Temperature Compensated PSPICE and SABER process technology achieves the lowest possible on-Modelsresistance per silicon area, resulting in o
Другие MOSFET... HUF75321D3ST , HUF75321P3 , HUF75321S3 , HUF75321S3S , HUF75321S3ST , HUF75329D3 , HUF75329D3S , HUF75329G3 , 13N50 , HUF75329S3 , HUF75329S3S , HUF75329S3ST , HUF75332G3 , HUF75332P3 , HUF75332S3S , HUF75333G3 , HUF75333P3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918