APT6025SVR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT6025SVR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: D3PAK
Аналог (замена) для APT6025SVR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT6025SVR даташит
apt6025svr.pdf
APT6025SVR 600V 25A 0.250W POWER MOS V D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower Le
apt6025bvfrg apt6025svfrg.pdf
APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re
apt6025svfr.pdf
APT6025BVFR APT6025SVFR 600V 25A 0.250 POWER MOS V FREDFET D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Re
apt6025bfllg apt6025sfllg.pdf
APT6025BFLL APT6025SFLL 600V 24A 0.250 BFLL R POWER MOS 7 FREDFET D3PAK Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel TO-247 enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7 by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7 combines lower conduction and switching losses SFLL
Другие IGBT... APT6017JFLL, APT6017JLL, APT6021BFLL, APT6021BLL, APT6025BFLL, APT6025BLL, APT6025BVFR, APT6025SVFR, IRF630, APT6029BFLL, APT6029BLL, APT6030BVFR, APT6030SVFR, APT6030SVR, APT6035BVFR, APT6038BFLL, APT6038BLL
History: CS38N20D | PMPB24EP | STU5025NL2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor




