Справочник MOSFET. APT6040BVFR

 

APT6040BVFR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT6040BVFR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6040BVFR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  apt
 apt6040bvfr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVFRAPT6040SVFR600V 16A 0.400BVFR POWER MOS V FREDFETD3PAKPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.SVFR

 5.1. Size:57K  apt
 apt6040bvr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVRAPT6040SVR600V 16A 0.400BVRPOWER MOS VD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS VSVRalso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Fast

 6.1. Size:50K  apt
 apt6040bn.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

DTO-247GAPT6040BN 600V 18.0A 0.40SAPT6045BN 600V 17.0A 0.45POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 6040BN 6045BN UNITVDSS Drain-Source Voltage600 600 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C18 17AmpsIDM Pulsed Drain Current 172 68V

 7.1. Size:58K  apt
 apt6040svr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVRAPT6040SVR600V 16A 0.400BVRPOWER MOS VD3PAKTO-247Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS VSVRalso achieves faster switching speeds through optimized gate layout.D Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP10TN028YT | PMN27XPEA | BLS60R380F-P | P0460EI | KI2310DS | NTHD4502N | HGK220N25S

 

 
Back to Top

 


 
.