APT6040BVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT6040BVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT6040BVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT6040BVFR даташит

 ..1. Size:113K  apt
 apt6040bvfr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVFR APT6040SVFR 600V 16A 0.400 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. SVFR

 5.1. Size:57K  apt
 apt6040bvr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVR APT6040SVR 600V 16A 0.400 BVR POWER MOS V D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVR also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Fast

 6.1. Size:50K  apt
 apt6040bn.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

D TO-247 G APT6040BN 600V 18.0A 0.40 S APT6045BN 600V 17.0A 0.45 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 6040BN 6045BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 600 600 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 18 17 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 72 68 V

 7.1. Size:58K  apt
 apt6040svr.pdf pdf_icon

APT6040BVFR

APT6040BVR APT6040SVR 600V 16A 0.400 BVR POWER MOS V D3PAK TO-247 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVR also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT6029BFLL, APT6029BLL, APT6030BVFR, APT6030SVFR, APT6030SVR, APT6035BVFR, APT6038BFLL, APT6038BLL, AO3401, APT6040BVR, APT6060BNR, APT60M60JFLL, APT60M60JLL, APT60M75JFLL, APT60M75JLL, APT60M75L2FLL, APT60M75L2LL