Справочник MOSFET. APT8075BVFR

 

APT8075BVFR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT8075BVFR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для APT8075BVFR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8075BVFR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  apt
apt8075bvfr.pdfpdf_icon

APT8075BVFR

APT8075BVFR800V 12A 0.750POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 0.1. Size:52K  apt
apt8075bvfrg.pdfpdf_icon

APT8075BVFR

APT8075BVFR800V 12A 0.750POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 5.1. Size:62K  apt
apt8075bvr.pdfpdf_icon

APT8075BVFR

APT8075BVR800V 12A 0.750POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.2. Size:376K  inchange semiconductor
apt8075bvr.pdfpdf_icon

APT8075BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT8075BVRFEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.75(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... APT8024B2VFR , APT8024B2VR , APT8024JFLL , APT8024JLL , APT8043BFLL , APT8043BLL , APT8052BFLL , APT8052BLL , CS150N03A8 , APT94N60L2C3 , 2SK2642-01MR , 2SK3502-01MR , 2SK3673-01MR , 2SK3677-01MR , 2SK3679-01MR , 2SK2058 , 2SK2728 .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | DH033N04D | QM3018D | BSC047N08NS3G

 

 
Back to Top

 


 
.