Справочник MOSFET. STU339S

 

STU339S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU339S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU339S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  samhop
stu339s std339s.pdfpdf_icon

STU339S

GrerrPPrPrProSTU/D339SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.6 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.40A30V15 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

 9.1. Size:102K  samhop
stu330s std330s.pdfpdf_icon

STU339S

STU/D330SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.28 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 20A38 @ VGS=4.5VGSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(TA=25C unless o

 9.2. Size:149K  samhop
stu336s std336s.pdfpdf_icon

STU339S

GrerrPPrPrProSTU/D336SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.5.6 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.55A30V9 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

 9.3. Size:149K  samhop
stu334s std334s.pdfpdf_icon

STU339S

GrerrPPrPrProSTU/D334SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.7 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60A30V6.8 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.