STU330S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU330S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU330S Datasheet (PDF)
stu330s std330s.pdf

STU/D330SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.28 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 20A38 @ VGS=4.5VGSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(TA=25C unless o
stu336s std336s.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D336SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.5.6 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.55A30V9 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (
stu339s std339s.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D339SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.6 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.40A30V15 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (
stu334s std334s.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D334SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.4.7 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60A30V6.8 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AP98T03GP-HF | SRT10N120LD | STP6N50FI | 2SK2821 | VBZFB40N10 | IPP041N04NG | IPG20N06S4-15
History: AP98T03GP-HF | SRT10N120LD | STP6N50FI | 2SK2821 | VBZFB40N10 | IPP041N04NG | IPG20N06S4-15



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet