STT10L01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT10L01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для STT10L01
STT10L01 Datasheet (PDF)
stt10l01.pdf

GreenProductSTT10L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VSurface Mount Package.3A100V225 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)
stt100.pdf

GreenProductSTT100aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.819 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A956 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие MOSFET... STU1955NL , STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , IRFB4115 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 .
History: WPM2083 | HM2N25 | NTMFS5C410NLT | HGP095NE4SL | 2N65G-T6C-K | TPCA8056-H
History: WPM2083 | HM2N25 | NTMFS5C410NLT | HGP095NE4SL | 2N65G-T6C-K | TPCA8056-H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent