STT10L01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STT10L01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 48 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT223
STT10L01 Datasheet (PDF)
stt10l01.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTT10L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VSurface Mount Package.3A100V225 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)
stt100.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTT100aS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.819 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 1.2A956 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIESS SOT - 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .