Справочник MOSFET. STS8217

 

STS8217 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS8217
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TSOT26
 

 Аналог (замена) для STS8217

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS8217 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  samhop
 sts8217.pdf pdf_icon

STS8217

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 8.1. Size:179K  samhop
 sts8216.pdf pdf_icon

STS8217

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 8.2. Size:106K  samhop
 sts8215.pdf pdf_icon

STS8217

GrerrPPrPrProSTS8215aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.24.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.25.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V30.5 @ VGS=3.1V36.5 @ VGS=2.5VD1 D

 8.3. Size:111K  samhop
 sts8213.pdf pdf_icon

STS8217

GreenProductSTS8213aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.0 @ VGS=4.0V Suface Mount Package.16.5 @ VGS=3.7V 20V 7AESD Protected.18.0 @ VGS=3.1V 22.0 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top ViewS1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , 2N7000 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 .

History: UT100N03L-TQ2-T | IRFI260 | 2SK3402-ZK | FDMC86160ET100 | STW13NK50Z | JCS50N06FH | 2SK3600-01S

 

 
Back to Top

 


 
.