Справочник MOSFET. STS3419

 

STS3419 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS3419
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для STS3419

 

 

STS3419 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  samhop
 sts3419.pdf

STS3419 STS3419

GreenProductSTS3419aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.65 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.8A90 @ VGS=-4.5V Halogen free.DSOT-23DGSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth

 8.1. Size:168K  samhop
 sts3414.pdf

STS3419 STS3419

GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol

 8.2. Size:88K  samhop
 sts3417.pdf

STS3419 STS3419

GrPPrPPSTS3417aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.96 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.100 @ VGS=-4.0V-30V -3A 103 @ VGS=-3.7VESD Protected.111 @ VGS=-3.1V123 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDS

 8.3. Size:94K  samhop
 sts3415.pdf

STS3419 STS3419

GrPPrPPSTS3415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.46 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.47 @ VGS=-4.0VESD Protected.49 @ VGS=-3.7V-20V -4.2A54 @ VGS=-3.1V61 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDSG

 8.4. Size:107K  samhop
 sts3411a.pdf

STS3419 STS3419

GreenProductSTS3411AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.52 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.6A65 @ VGS=-4.5V ESD Protected.D SOT-23GDSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

 8.5. Size:920K  cn vbsemi
 sts3415.pdf

STS3419 STS3419

STS3415www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top