STS3415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS3415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.8 nC
Время нарастания (tr): 225 ns
Выходная емкость (Cd): 159 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOT23
STS3415 Datasheet (PDF)
sts3415.pdf
GrPPrPPSTS3415aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.46 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.47 @ VGS=-4.0VESD Protected.49 @ VGS=-3.7V-20V -4.2A54 @ VGS=-3.1V61 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDSG
sts3415.pdf
STS3415www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23)
sts3414.pdf
GreenProductSTS3414aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.50 @ VGS=10V30V 4A 60 @ VGS=4.5V SOT-23 package.75 @ VGS=2.5VDS OT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol
sts3417.pdf
GrPPrPPSTS3417aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.96 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.100 @ VGS=-4.0V-30V -3A 103 @ VGS=-3.7VESD Protected.111 @ VGS=-3.1V123 @ VGS=-2.5VDSOT-23GDS
sts3419.pdf
GreenProductSTS3419aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.65 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.8A90 @ VGS=-4.5V Halogen free.DSOT-23DGSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless oth
sts3411a.pdf
GreenProductSTS3411AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.52 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -3.6A65 @ VGS=-4.5V ESD Protected.D SOT-23GDSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BM3415E
