STM8456. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STM8456
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для STM8456
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STM8456 даташит
stm8456.pdf
STM8456 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 33 @ VGS=10V 45 @ VGS=-10V 40V 6.2A -40V -5.3A 45 @ VGS=4.5V 70 @ VGS=-4.5V D2 5 4 G 2 6 3 D2 S 2 D1 7 2 G 1 S O-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless otherwi
stm8458.pdf
STM8458 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 32 @ VGS=10V 48 @ VGS=-10V 40V 6.3A -40V -5.1A 42 @ VGS=4.5V 68 @ VGS=-4.5V D2 5 4 G 2 6 3 D2 S 2 D1 7 2 G 1 S O-8 D1 8 1 S 1 1 (TA=25 C unless otherwi
stm8457.pdf
Green Product STM8457 SamHop Microelectronics Corp. Dec.21,2009 Ver1.1 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-Channel) (P-Channel) PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max 26 @ VGS = 10V 42 @ VGS = -10V -40V -5A 40V 6A 33 @ VGS = 4.5V 62 @ VGS = -4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 SO-8 1 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2
stm8455.pdf
S T M8455 S amHop Microelectronics C orp. Aug.16,2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P P R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel) V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 29 @ VG S = 10V 42 @ V G S = -10V -40V -5A 40V 6A 40 @ V G S = 4.5V 62 @ V G S = -4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3 4 S
Другие MOSFET... STS3419 , STS3417 , STS3415 , STS3414 , STM8501 , STM8500A , STM8458 , STM8457 , IRF1010E , STM6968 , STM6967 , STM6966 , STM6962 , STM6960A , STM4820 , STM4808 , STM4806 .
History: SM7302ESKP | 2SK2129 | SM3117NSU | SI4920DY-T1 | MTD3055EL | SM6129NSU | 2SK3572-Z
History: SM7302ESKP | 2SK2129 | SM3117NSU | SI4920DY-T1 | MTD3055EL | SM6129NSU | 2SK3572-Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor




