HUF75337P3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HUF75337P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для HUF75337P3
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HUF75337P3 даташит
huf75337g3 huf75337p3 huf75337s3s.pdf
HUF75337G3, HUF75337P3, HUF75337S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models
huf75337s3.pdf
HUF75337G3, HUF75337P3, S E M I C O N D U C T O R HUF75337S3, HUF75337S3S 62A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs January 1998 Features Description 62A, 55V These N-Channel power MOS- FETs are manufactured using Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.014 the innovative UltraFET pro- cess. This advanced process technology achieves the low- Diode Exhibits
huf75333g3 huf75333p3 huf75333s3s huf75333s3.pdf
HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S, HUF75333S3 Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impeda
huf75332s3st.pdf
HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S Data Sheet January 2005 60A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 60A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models a
Другие MOSFET... HUF75332P3 , HUF75332S3S , HUF75333G3 , HUF75333P3 , HUF75333S3 , HUF75333S3S , HUF75333S3ST , HUF75337G3 , RFP50N06 , HUF75337S3S , HUF75339G3 , HUF75339P3 , HUF75339S3 , HUF75339S3S , HUF75339S3ST , HUF75343G3 , HUF75343P3 .
History: HUF75337S3S
History: HUF75337S3S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet








