Справочник MOSFET. STM4639T

 

STM4639T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM4639T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 24 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 768 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STM4639T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4639T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  samhop
 stm4639t.pdf pdf_icon

STM4639T

GreenProductSTM4639TaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -10A16.5 @ VGS=-4.5V ESD Protected.D 5 4 G6 3D S7 2D SSO-8D 8 1S1ABSOLUTE MAXIMUM R

 7.1. Size:122K  samhop
 stm4639.pdf pdf_icon

STM4639T

GreenProductSTM4639aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.8.5 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -14A13 @ VGS=-4.5VESD ProctecedD 5 4 G6 3D S7 2D SSO- 8D 8 1S1)ABSOLUTE MAXIMUM RA

 8.1. Size:157K  samhop
 stm4633.pdf pdf_icon

STM4639T

STM4633aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.33 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -7.0A52 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4 G6 3D S7 2D SS O-8D 8 1S1(TA=25C unless otherwise noted)AB

 8.2. Size:157K  samhop
 stm4637.pdf pdf_icon

STM4639T

STM4637aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.30 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-30V -7.7A48 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SS O-88 1D S1(TA=25C unless otherwise noted)A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STM6967 , STM6966 , STM6962 , STM6960A , STM4820 , STM4808 , STM4806 , STM4800S , P60NF06 , 2SK3098 , STG8820 , STG8810A , STG8810 , STG8211 , STF8233 , STF8220 , STF8211 .

History: IPP80P04P4-07 | NCEP01T13 | STF5N62K3 | IRF9640L | SL2016 | CPH3341 | 2SK1186

 

 
Back to Top

 


 
.