SP8008 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP8008
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
Тип корпуса: TSON3.3X3.3
Аналог (замена) для SP8008
SP8008 Datasheet (PDF)
sp8008.pdf

GreenProductSP8008aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.3.9 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 28A 4.2 @ VGS=4.5V ESD Protected.5.2 @ VGS=2.5V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3
sp8009el.pdf

GreenProductSP8009ELaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.5.0 @ VGS=10VSuface Mount Package.33V 24A6.5 @ VGS=6V ESD Protected.D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3ABSOLUTE MAX
sp8006.pdf

GreenProductSP8006aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.4.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.4.7 @ VGS=4.0V 24V 12.5A 4.9 @ VGS=3.7V ESD Protected.5.5 @ VGS=3.1V6.0 @ VGS=2.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D
sp8007.pdf

GreenProductSP8007aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.3.8 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.3.9 @ VGS=4.0V 24V 27A 4.6 @ VGS=3.7V ESD Protected.5.1 @ VGS=3.1V5.9 @ VGS=2.5VD 5 4 GD 6 3S7 2D S
Другие MOSFET... STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E , SP8009 , IRFZ48N , SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 .
History: 2SK2870-01S | 2SJ553S | SSF2810EH2 | MT4435ACTR | AP02N60P-HF | SRC65R220BS | SSF2814E
History: 2SK2870-01S | 2SJ553S | SSF2810EH2 | MT4435ACTR | AP02N60P-HF | SRC65R220BS | SSF2814E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606