SDD07N65 - описание и поиск аналогов

 

SDD07N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDD07N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для SDD07N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDD07N65 даташит

 ..1. Size:131K  samhop
 sdu07n65 sdd07n65.pdf pdf_icon

SDD07N65

Green Product SDU/D07N65 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 650V 7A 1.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G G S S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) O

Другие MOSFET... SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , RU7088R , FQA18N50V2 , FQA19N20C , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.