SDD07N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDD07N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO251 IPAK
Аналог (замена) для SDD07N65
SDD07N65 Datasheet (PDF)
sdu07n65 sdd07n65.pdf

GreenProduct SDU/D07N65aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.650V 7A 1.2 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGGSSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)O
Другие MOSFET... SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , AON7403 , FQA18N50V2 , FQA19N20C , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 .
History: LSB60R180HT
History: LSB60R180HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet