Справочник MOSFET. FQA18N50V2

 

FQA18N50V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA18N50V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для FQA18N50V2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA18N50V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqa18n50v2.pdf pdf_icon

FQA18N50V2

TMQFETFQA18N50V2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to F

Другие MOSFET... SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , 2N7002 , FQA19N20C , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 .

History: HCA90R800 | WML26N60C4 | IRF7101PBF | WMO08N65EM | SI3457DV | VBZQA80N03 | IXCY01N90E

 

 
Back to Top

 


 
.