Справочник MOSFET. FQA18N50V2

 

FQA18N50V2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA18N50V2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA18N50V2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqa18n50v2.pdf pdf_icon

FQA18N50V2

TMQFETFQA18N50V2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technology has been especially tailored to F

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM150N03 | SWD7N65DD | STL9N60M2 | QM3022D | 5N65KG-TF2-T | SSM3K14T | MDU2657RH

 

 
Back to Top

 


 
.