FQA18N50V2 - описание и поиск аналогов

 

FQA18N50V2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA18N50V2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для FQA18N50V2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA18N50V2 даташит

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqa18n50v2.pdf pdf_icon

FQA18N50V2

TM QFET FQA18N50V2 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20A, 500V, RDS(on) = 0.265 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technology has been especially tailored to F

Другие MOSFET... SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , MMIS60R580P , FQA19N20C , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.