Справочник MOSFET. FQB46N15

 

FQB46N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB46N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 320 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для FQB46N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB46N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  fairchild semi
 fqb46n15 fqi46n15.pdf pdf_icon

FQB46N15

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

 0.1. Size:764K  fairchild semi
 fqb46n15tm am002.pdf pdf_icon

FQB46N15

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB46N15 / FQI46N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 45.6A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced techno

Другие MOSFET... SDF04N40 , SDF03N80 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C , FQA38N30 , AO4468 , FQI46N15 , FQP10N50CF , FDB86366F085 , FCH077N65FF085 , FCH190N65FF085 , FQT2P25 , FQU1N80 , FDC645N .

History: RFP4N35 | QM1830M3 | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | PSMN035-150 | WMN90R360S | WMM15N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.