FCPF190N60E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCPF190N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1795 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FCPF190N60E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCPF190N60E даташит
fcp190n60e fcpf190n60e.pdf
December 2013 FCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 160 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charg
fcp190n60e fcpf190n60e.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
fcpf190n60e.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF190N60E FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM
fcp190n60 fcpf190n60.pdf
December 2013 FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 20.2 A, 199 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 170 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 5
Другие MOSFET... FDMS8560S , FDMS8570S , FDMS3660S , FDMS3664S , FDMS3668S , FDMC8588 , FCP190N60E , FCP380N60E , 5N60 , FCPF380N60E , FDMS86310 , FDMS3006SDC , FDMS3008SDC , HUF75852G3F085 , FDMS3016DC , FDMS86101DC , FCP380N60 .
History: FDMA8884 | FDMS3006SDC | FDC8878 | SDF08N60 | SDK03N04 | FDZ663P
History: FDMA8884 | FDMS3006SDC | FDC8878 | SDF08N60 | SDK03N04 | FDZ663P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50





