FCPF400N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FCPF400N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FCPF400N60
FCPF400N60 Datasheet (PDF)
fcpf400n60.pdf

December 2013FCPF400N60N-Channel SuperFET II MOSFET600 V, 10 A, 400 mFeatures Description 650 V @ TJ = 150CSuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 350 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 28 nC)and lo
fcpf400n60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF400N60FEATURESWith TO-220F packagingDrain Source Voltage-: V 600VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 400m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
fcpf400n80zl1.pdf

September 2014FCPF400N80ZL1N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 11 A, 400 mFeatures Description Typ. RDS(on) = 340 m SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 4.1 u
fcpf400n80z.pdf

November 2014FCPF400N80ZN-Channel SuperFET II MOSFET800 V, 11 A, 400 mFeatures Description Typ. RDS(on) = 340 m SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC)charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 4.1 uJ @ 400
Другие MOSFET... FCPF380N60 , FDMS3686S , FDMA8878 , FDMS86101A , FDPC8011S , HUF75639SF085A , FDMS3620S , FDMS86300DC , NCEP15T14 , FDD86540 , FDMS015N04B , FDD390N15ALZ , FDMA7628 , FDMC86248 , FDPC8013S , FDP039N08B , FDME820NZT .
History: IRLU2905PBF | FDU6692 | SLP5N65S
History: IRLU2905PBF | FDU6692 | SLP5N65S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665