FCPF400N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FCPF400N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FCPF400N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FCPF400N60 даташит
fcpf400n60.pdf
December 2013 FCPF400N60 N-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 10 A, 400 m Features Description 650 V @ TJ = 150 C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 350 m charge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 28 nC) and lo
fcpf400n60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FCPF400N60 FEATURES With TO-220F packaging Drain Source Voltage- V 600V DSS Static drain-source on-resistance RDS(on) 400m @V =10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
fcpf400n80zl1.pdf
September 2014 FCPF400N80ZL1 N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 11 A, 400 m Features Description Typ. RDS(on) = 340 m SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 4.1 u
fcpf400n80z.pdf
November 2014 FCPF400N80Z N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 11 A, 400 m Features Description Typ. RDS(on) = 340 m SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 43 nC) charge balance technology for outstanding low on-resistance Low Eoss (Typ. 4.1 uJ @ 400
Другие MOSFET... FCPF380N60 , FDMS3686S , FDMA8878 , FDMS86101A , FDPC8011S , HUF75639SF085A , FDMS3620S , FDMS86300DC , IRF1405 , FDD86540 , FDMS015N04B , FDD390N15ALZ , FDMA7628 , FDMC86248 , FDPC8013S , FDP039N08B , FDME820NZT .
History: SDF04N40
History: SDF04N40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665





